采用标准 CMOS 工艺，
集成高性能的隔离技术。使用 SiO2隔离达到
高强度的电磁隔离要求。最大信号传输速率
可达 50MHz, 脉宽失真小。隔离电压达到
3kvrms，采用 SOP‐8L 封装形式
